镀银较早始于1800年,**个镀银的**是1838年由英国伯明翰的Elkington兄弟提出的,所用的镀液为碱性氰化物镀液,与他们发明的碱性氰化物镀黄金体系很类似。一个多世纪以来,镀银液的基本配方和当年的配方差别不大,仅仅是提高了银配位离子浓度以达到快速镀银的目的而已。氰系镀液过去的主要缺点是使用的电流密度小,现在这个问题也解决了,高效镀银使电流密度可高达10A/dm,光亮镀银可达1.5~3A/dm,其镀面光滑而*再打光,也可镀厚。近年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银,如引线框架的选择性镀银,采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300~3000A/dm,镀液中*钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40~75g/L,阳极采用白金或镀铂的钛阳极,这样在1s内即可镀上约4~5μm的银层,它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。
用二硫化碳做光亮剂并不能得到全光亮的银层,且加入镀液后要等一段时间才会发生作用,估计真正的光亮剂是二硫化碳与镀液中的CN一反应生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他种硫化物中的某些化合物。
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